АЛФЕРОВ Жорес Иванович
родился 15.03.1930
Жорес Иванович Алфёров работает в области полупроводниковых гетероструктур.
Жорес Иванович принимал участие в создании первых советских транзисторов, фотодиодов и мощных германиевых выпрямителей, создал полупроводниковые лазеры на основе двойных гетероструктур, реализовал непрерывный режим генерации при комнатной температуре.
Жорес Алфёров открыл явление сверхинжекции в гетероструктурах, первые "идеальные" гетероструктуры: арсенид алюминия - арсенид галлия.
В результате работы Алфёрова появилось новое направление - физика гетероструктур, а также оптоэлектроника и электроника на их основе.
  Жорес Иванович Алфёров родился 15 марта 1930 года в Витебске.
  Он поступил в Ленинградский электротехнический институт им. В.И.Ленина("ЛЭТИ"), на факультет электроники, по специальности электровакуумная техника. Закончил институт Жорес Иванович в 1952 году.
  С 1953 года Жорес Алфёров работает в Физико-техническом институте РАН им. А.Ф. Иоффе, возглавив его в 1987 году.
  В 1961 году Жорес Алфёров получил степень кандидата технических наука. В 1970 году он получает степень доктора физико-математических наук.
  В 1972 году Жорес Иванович стал профессором ЛЭТИ. С 1973 года стал заведующим кафедрой оптоэлектроники этого института.
  В период с 1990 до 1991 года Жорес Алфёров занимал должность вице-президента АН СССР и председателя президиума Ленинградского научного центра.
  В 1988 году Жорес Алфёров стал деканом Физико-технического факультета Ленинградского политехнического института.
  С 1991 года Жорес Иванович Алфёров - вице-президент РАН и председатель президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН.
  Жорес Алфёров работает в области физики полупроводников, квантовой и полупроводниковой электроники, технической физики.
  Жорес Иванович принимал участие в создании первых советских транзисторов, фотодиодов и мощных германиевых выпрямителей.
  Жорес Алфёров открыл явление сверхинжекции в гетероструктурах. Он показал, что в гетероструктурах можно принципиально иначе управлять световыми и электронными потоками. Жорес Иванович Алфёров открыл первые "идеальные" гетероструктуры: арсенид алюминия - арсенид галлия (Al As - Ga As).
  Жорес Иванович создал полупроводниковые лазеры на основе двойных гетероструктур, реализовал непрерывный режим генерации при комнатной температуре.
  В результате работы Алфёрова появилось новое направление - физика гетероструктур, а также оптоэлектроника и электроника на их основе.
  Жорес Алфёров - главный редактор журнала "Письма в Журнал технической физики".
  Жорес Иванович Алфёров - автор более 50 изобретений и 500 научных работ, в том числе трёх монографий.
  Жорес Иванович награжден оренами Октябрьской Революции, Ленина, "Знак Почета", Трудового Красного Знамени, "За заслуги перед Отечеством" 3 степени, различными медалями СССР и Российской Федерации, японской премией Киото (Kyoto Prize) за 2001 год.
  Жорес Иванович Алфёров вместе с Гербертом Крёмером удостоен Нобелевской премии по физике за 2000 год. Они вместе открыли быстрые опто- и микроэлектронные компоненты на базе многослойных полупроводниковых структур (полупроводниковых гетероструктур). На базе этих технологий были созданы быстрые транзисторы и лазерные диоды.
Варианты написания (перевода): Жорес Алфёров, Алфёров Жорес, Жорес Алферов, Алферов Жорес, Жорэс Алферов